属性
一般
| 财产 | 价值 |
|---|---|
晶粒尺寸 |
20μm 显示粒度为20 μm的材料 |
维
| 财产 | 价值 | 评论 |
|---|---|---|
厚度 |
3.45 e -毫米 显示厚度为3.45E-7 mm的材料 |
石墨烯单层理论厚度 |
电
| 财产 | 温度 | 价值 | 评论 |
|---|---|---|---|
载流子迁移率 |
23.0°C |
3760厘米²/ Vs 显示载流子迁移率为3760 cm²/Vs的材料 |
SiO₂/Si衬底上FET电子迁移率 |
表面电阻率 |
23.0°C |
410 - 490 Ω/sq 显示材料表面电阻率410 - 490 Ω/sq |
SiO₂/Si衬底上的Van der Pauw电阻(1cm x 1cm) |
光学
| 财产 | 价值 |
|---|---|
透光率 |
97 (-) 透光率97 [-] |
技术性能
| 财产 | ||
|---|---|---|
| 应用领域 | 石墨烯研究、柔性电池、电子、航空航天工业、MEMS和NEMS、微执行器、导电涂料 |
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| 其他 | “易转移”:避免金属蚀刻，避免危险的化学处理，底层去除。>覆盖率98%。 |
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| 处理历史 | 生长方法:CVD。在洁净室1000级处理。 |
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